本发明公开了一种宽温域耐磨自润滑CrVN/Ag复合涂层及其制备方法。所述复合涂层包括粘结层、梯度层和耐磨自润滑面层,所述粘结层为Cr层,所述梯度层包括CrN层、CrVN层和CrVN/Ag层,所述耐磨自润滑面层包括氮化物陶瓷相和Ag相,所述氮化物陶瓷相包括VN和CrN。本发明采用磁控溅射技术制备出CrVN/Ag复合涂层,该复合涂层不仅具有致密的内部结构且具有较高的结合强度,VN和CrN在高温摩擦过程中通过摩擦化学反应生成氧化钒、氧化铬以及钒酸银等高温固体润滑剂,具有优异的低摩擦高抗摩性能,有效改善零部件在宽温域(RT‑750℃)区间内的润滑抗磨问题,延长材料在宽温域服役条件下的使用寿命。 ......

  • 专利类型:

    发明专利

  • 申请/专利号:

    CN202210372300.7

  • 申请日期:

    2022-04-08

  • 专利申请人:

    ["中国航发四川燃气涡轮研究院","中国科学院兰州化学物理研究所"]

  • 分类号:

    C23C14/16;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/02

  • 发明/设计人:

    曹学乾张广安尚伦霖胡海涛

  • 权利要求: 1.一种宽温域耐磨自润滑CrVN/Ag复合涂层,其特征在于包括依次形成的粘结层、梯度层和耐磨自润滑面层,所述粘结层包括Cr层,所述梯度层依次包括CrN层、CrVN层和CrVN/Ag层,所述耐磨自润滑面层包括氮化物陶瓷相和Ag相,所述氮化物陶瓷相包括VN和CrN。2.根据权利要求1所述的宽温域耐磨自润滑CrVN/Ag复合涂层,其特征在于:所述耐磨自润滑面层由90at%~95at%的氮化物陶瓷相及Ag相组成。3.根据权利要求1所述的宽温域耐磨自润滑CrVN/Ag复合涂层,其特征在于:所述宽温域耐磨自润滑CrVN/Ag复合涂层中Cr、V、N与Ag的原子比为(49.6~51.6)∶(6.0~7.0)∶(39.5~40.5)∶(0.7~0.9)。4.根据权利要求1所述的宽温域耐磨自润滑CrVN/Ag复合涂层,其特征在于:所述粘结层的厚度为0.2~0.4μm,所述梯度层的厚度为0.3~0.5μm,所述耐磨自润滑面层的厚度为2.5~4.5μm。5.根据权利要求1所述的宽温域耐磨自润滑CrVN/Ag复合涂层,其特征在于:所述宽温域耐磨自润滑CrVN/Ag复合涂层的表面硬度为13.2~17.4GPa,弹性模量为225.9~275.2GPa,结合强度不小于30.0N,室温到750℃的摩擦系数为0.78~0.26,磨损率为1.36×10-5~2.02×10-6mm3N-1m-1。6.如权利要求1-5中任一项所述的宽温域耐磨自润滑CrVN/Ag复合涂层的制备方法,其特征在于包括:提供基底;采用磁控溅射技术在所述基底表面依次沉积形成粘结层、梯度层和耐磨自润滑面层,制得所述宽温域耐磨自润滑CrVN/Ag复合涂层。7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,具体包括:采用磁控溅射技术,以Cr靶为靶材,对基底施加负偏压,对Cr靶施加靶电流,从而在基底表面沉积形成作为过渡层的粘结层;其中,沉积粘结层采用的沉积时间为10~12min,施加于Cr靶上的靶电流为3~4A,粘结层的厚度为0.2~0.4μm。8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,具体包括:以Cr靶为靶材,以保护性气体和氮气为工作气体,对Cr靶施加靶电流,从而在粘结层表面沉积形成CrN层,其中,施加于Cr靶上的靶电流为3~4A;以Cr靶和V靶为靶材,以保护性气体和氮气为工作气体,对Cr靶和V靶施加靶电流,从而在CrN层表面沉积形成CrVN层,制得所述梯度层;其中,保持Cr靶上的靶电流不变,施加于V靶上的靶电流为0~2A;以及,以Cr靶、V靶和Ag靶为靶材,以保护性气体和氮气为工作气体,对Cr靶、V靶和Ag靶施加靶电流,从而在CrVN层表面沉积形成CrVN/Ag层,其中,保持Cr靶和V靶上的靶电流不变,施加于Ag靶上的靶电流为0~0.5A;所述梯度层的厚度为0.3~0.5μm;其中,保护性气体与氮气的流量比为2∶2.5~3.5。9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,具体包括:以Cr靶、V靶和Ag靶为靶材,以保护性气体和氮气为工作气体,采用闭合场非平衡磁控溅射沉积方法将各靶材溅射至梯度层表面,最终得到宽温域耐磨自润滑CrVN/Ag复合涂层,其中,腔体气压为0.5~0.7Pa,样品架转速为4.5~5.5rpm,保护性气体与氮气的流量比为2∶2.5~3.5,基底温度为150~200℃,Cr靶电流和Ag靶电流分别为3~4A和0~0.5A,V靶电流为0~2A,溅射距离为90~100mm,所述耐磨自润滑面层的厚度为2.5~4.5μm。10.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,还包括:在基底表面依次沉积形成粘结层、梯度层和耐磨自润滑面层之前,先对基底进行清洗和Ar+刻蚀处理,其中,所述Ar+刻蚀处理采用的工艺条件包括:抽真空至2.8~3.2Pa,Ar气与氮气的流量比为2∶2.5~3.5,偏电压为-470~-500V,占空比为45%~55%,时间为25min~35min;和/或,所述基底包括镍基高温金属。

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