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专利摘要

本发明提供了一种电致变色薄膜及其制备方法和应用，属于光电材料领域。本发明提供的电致变色薄膜的制备方法包括：首先采用磁控溅射方法在基片表面沉积金属薄膜，所述金属为钒或铌；然后利用高能原子氧束流辐照所述金属薄膜，最终制备得到金属氧化物电致变色薄膜。本发明提供的电致变色薄膜制备方法不用在磁控溅射阶段使用氧气，高能原子氧束流辐照可以均匀氧化溅射金属薄膜，方法简单，容易操作，且过程容易控制；而且本发明所述方法制备得到的电致变色薄膜性能稳定。 ......

基本信息

专利类型:
发明专利
申请/专利号:
CN202010331408.2
申请日期:
2020-04-24
专利申请人:
中国科学院兰州化学物理研究所
分类号:
C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58;C03C17/09
发明/设计人:
胡明，王德生，姜栋，伏彦龙，高晓明，孙嘉奕，翁立军
权利要求: 1.一种电致变色薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)采用磁控溅射方法在基片表面沉积金属M，在基片表面得到金属薄膜；其中M为金属钒或铌；所述金属薄膜的厚度为0.1～0.5μm；(2)采用高能原子氧束流辐照所述金属薄膜，得到电致变色薄膜；所述高能原子氧束流通量为1012～1017atoms/cm2/s，高能原子氧束流能量为4～10eV，辐照时间为60～180min。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述(1)磁控溅射方法中靶材的材质为金属钒或铌，所述靶材的纯度≥99.9％；靶材表面与基片表面之间的法线夹角≤20°；靶材表面的中心与基片表面中心连线距离为30～120mm。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述(1)中磁控溅射方法的工作气体为氩气，气体分压为0.1～5.0Pa，靶功率密度为0.03～0.09W/mm2，工件偏压为0～-300V，薄膜沉积时间为5～20min。4.权利要求1～3任一项所述方法制备得到的电致变色薄膜，其特征在于，所述电致变色薄膜的成分为V2O5或Nb2O5。5.根据权利要求4所述的电致变色薄膜，其特征在于，所述电致变色薄膜的厚度为100～500nm。6.权利要求4或5所述电致变色薄膜在光电材料领域中的应用。