本申请公开了一种超滑片,涉及超滑领域,包括基底,所述基底包括预设层数的单晶二维材料层,所述预设层数不超过十层;与所述基底的上表面固定连接的岛盖。本申请中超滑片包括基底和岛盖,岛盖与基底固定连接,基底包括单晶二维材料层,基底的厚度很薄,单晶二维材料层的层数不超过十层,且基底具有优良的超滑性能,即摩擦力较小且具有无磨损性能,使得本申请中超滑片为基于具有超滑性能的基底的超滑结构,岛盖的材料可以为任意材料,单晶二维材料层的材料也可以为任意的二维材料,且本申请中超滑片结构简单,能够适用于大批量的加工和生产检测。此外,本申请还提供一种具有上述优点的超滑片制作方法。 ......

  • 专利类型:

    发明专利

  • 申请/专利号:

    CN202210923356.7

  • 申请日期:

    2022-08-02

  • 专利申请人:

    ["深圳清华大学研究院","清华大学"]

  • 分类号:

    B81B5/00; B81C1/00

  • 发明/设计人:

    于昭宽何雨勍黄金奖马明郑泉水

  • 权利要求: 1.一种超滑片,其特征在于,包括:基底,所述基底包括预设层数的单晶二维材料层,所述预设层数不超过十层;与所述基底的上表面固定连接的岛盖。2.如权利要求1所述的超滑片,其特征在于,所述岛盖采用导电材料制成,且所述基底与所述岛盖之间可电连接。3.如权利要求2所述的超滑片,其特征在于,所述岛盖包括至少一层导电层。4.如权利要求3所述的超滑片,其特征在于,当所述导电层为金属层时,还包括:设于所述基底与所述岛盖之间的导电连接层。5.如权利要求3所述的超滑片,其特征在于,所述岛盖包括两层金属层。6.如权利要求3所述的超滑片,其特征在于,当所述导电层的层数在两层及以上时,在远离所述基底的方向上,下一个所述导电层的尺寸小于或等于上一个所述导电层的尺寸。7.如权利要求1所述的超滑片,其特征在于,所述岛盖的厚度在100nm以上。8.如权利要求1至7任一项所述的超滑片,其特征在于,所述岛盖远离所述基底的表面设置有转移部,以便于转移所述超滑片。9.一种超滑片制作方法,其特征在于,包括:获得岛盖,所述岛盖的上表面或/和下表面为原子级平整表面;在任一所述原子级平整表面转移或生长预设层数的单晶二维材料层作为基底,得到超滑片,其中,所述预设层数不超过十层;或者,利用机械剥离法在基板上制备预设层数的单晶二维材料层作为基底,其中,所述预设层数不超过十层;在所述基底上形成岛盖得到位于所述基板上的超滑片,并将所述超滑片和所述基板分离。10.如权利要求9所述的超滑片制作方法,其特征在于,在所述基底上形成岛盖包括:在所述基板上涂覆光刻胶,所述光刻胶将所述基底包覆在内部;对与所述基底对应的所述光刻胶进行曝光、显影,得到处理后基板;在所述处理后基板上沉积岛盖层,并剥离所述光刻胶以及位于所述光刻胶上的所述岛盖层,以在所述基底上形成所述岛盖。11.如权利要求10所述的超滑片制作方法,其特征在于,当所述岛盖包括至少一层金属层时,在所述利用机械剥离法在基板上制备预设层数的单晶二维材料层作为基底之后,还包括:在所述基底上制备导电连接层;相应的,在所述基板上涂覆光刻胶,所述光刻胶将所述基底包覆在内部包括:在所述基板上涂覆光刻胶,所述光刻胶将所述基底和所述金属连接层包覆在内部。12.如权利要求11所述的超滑片制作方法,其特征在于,当所述岛盖包括至少两层金属层时,在所述处理后基板上沉积岛盖层,并剥离所述光刻胶以及位于所述光刻胶上的所述岛盖层,以在所述基底上形成所述岛盖包括:步骤S11:在所述处理后基板上形成金属层;步骤S12:剥离所述光刻胶以及位于所述光刻胶上的所述金属层;步骤S13:在所述处理后基板上再次涂覆光刻胶,再次涂覆的光刻胶将所述基底和所述金属层包覆在内部;步骤S14:对与所述金属层对应的再次涂覆的光刻胶进行曝光、显影,得到新的处理后基板,并进入步骤S11,直至金属层的层数达到预设值。13.如权利要求9至12任一项所述的超滑片制作方法,其特征在于,将所述超滑片和所述基板分离包括:利用转移头在竖直方向上与超滑片按压接触;将所述超滑片提起,并将所述超滑片转移至新的基板上。

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