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专利摘要

本发明涉及石墨烯基础研究及应用技术领域，尤其涉及一种单晶畴、多晶畴石墨烯及其制备方法。本发明提供了一种单晶畴、多晶畴石墨烯及其制备方法，包括以下步骤：在空气气氛下，将石墨烯薄膜加热至130～150℃，退火5～10min，得到单晶畴、多晶畴石墨烯。本发明不需要精确控制制备中的反应条件，甚至可直接购买到原材料，仅需较简单、极其容易控制的实验操作即可获得单晶畴、多晶畴石墨烯样品。即：通过极易获得(实验上制备简单，且已商业化，可通过购买的方式获得)的石墨烯薄膜，通过退火等处理方式获得极难制备的单晶畴、多晶畴石墨烯。且本发明的原料易得、可直接购买。 ......

基本信息

专利类型:
发明专利
申请/专利号:
CN202210921391.5
申请日期:
2022-08-02
专利申请人:
["深圳清华大学研究院","清华大学"]
分类号:
C30B1/02; C30B28/02; C30B29/02; C23C16/02; C23C16/26
发明/设计人:
何雨勍，于昭宽，黄金奖，马明，郑泉水
权利要求: 1.一种单晶畴、多晶畴石墨烯及其制备方法，包括以下步骤：在空气气氛下，将石墨烯薄膜加热至130～150℃，退火5～10min，得到单晶畴、多晶畴石墨烯。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述加热的时间为1～5min。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述石墨烯薄膜按照以下方法进行制备：A)在氮气气氛下，将基底加热至1030～1050℃，进行退火；所述氮气的流量为200～250sccm；B)继续通入氮气、甲烷和氢气，在基底上生长石墨烯薄膜；氢气的流量为18～20sccm，甲烷的流量为8～10sccm；C)停止通入甲烷，降温至室温，得到石墨烯薄膜。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤A)中，将所述基底在氮气气氛下加热前，还包括：用盐酸、丙酮、异丙醇和去离子水依次清洗，并用氮气吹干。5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤A)中，所述基底为铜箔。6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤A)中，所述加热的时间为0.8～1.2h。7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤A)中，所述退火的时间为0.3～0.7h。8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤B)中，所述生长的温度为1030～1050℃，时间为0.8～1.2h。9.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤C)中，所述降温的时间为0.8～1.2h。10.权利要求1～9任意一项所述的制备方法制得的单晶畴、多晶畴石墨烯。