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专利摘要

本申请公开了一种超滑岛推动装置，包括：透明基底；位于所述透明基底表面的透明推动体阵列，所述透明推动体阵列与待推动的超滑岛阵列相同。可见，本申请中超滑岛推动装置包括透明基底和透明推动体阵列，由于推动体阵列与待推动的超滑岛阵列一致，所以推动体阵列中的推动体与超滑岛阵列中的超滑岛可以一一对应，在推动时，超滑岛阵列中的所有超滑岛均会发生移动，避免逐个推动超滑岛，增加推岛效率，缩短推岛时间，并且，超滑岛推动装置是透明的，可以清楚的观察到超滑岛阵列的推动情况，非常简单、方便。此外，本申请还提供一种具有上述优点的超滑岛处理方法。 ......

基本信息

专利类型:
发明专利
申请/专利号:
CN202111073972.X
申请日期:
2021-09-14
专利申请人:
["深圳清华大学研究院","清华大学"]
分类号:
B81C1/00
发明/设计人:
聂锦辉，马明，郑泉水
权利要求: 1.一种超滑岛推动装置，其特征在于，包括：透明基底；位于所述透明基底表面的透明推动体阵列，所述透明推动体阵列与待推动的超滑岛阵列相同。2.如权利要求1所述的超滑岛推动装置，其特征在于，所述透明推动体阵列为透明电极阵列。3.如权利要求2所述的超滑岛推动装置，其特征在于，还包括：设置在所述透明电极阵列中每个电极表面的透明绝缘层。4.如权利要求3所述的超滑岛推动装置，其特征在于，还包括：设置在所述透明基底和所述透明电极阵列之间的透明柔性绝缘层。5.一种超滑岛处理方法，其特征在于，包括：在基底的上表面涂覆第一光刻胶，并对所述第一光刻胶曝光显影；在显影后第一光刻胶的上表面制备推动层，并剥离所述第一光刻胶形成推动体阵列，得到处理治具；所述推动体阵列与待推动的超滑岛阵列相同；其中，所述基底为透明基底，所述推动体阵列为透明推动体阵列；将所述推动体阵列与所述超滑岛阵列对应接触并施加压力，并推动所述超滑岛阵列；分离所述处理治具和所述超滑岛阵列，并确定发生自回复的超滑岛。6.如权利要求5所述的超滑岛处理方法，其特征在于，当所述推动体阵列为透明电极阵列，在所述确定发生自回复的超滑岛之后，还包括：标记所述发生自回复的超滑岛；将所述透明电极阵列与所述超滑岛阵列对应接触，并对与所述发生自回复的超滑岛对应的电极施加静电，使所述发生自回复的超滑岛与施加静电的电极吸附；将吸附有所述发生自回复的超滑岛的处理治具与目标基底接触并施加压力；分离吸附有所述发生自回复的超滑岛的处理治具与所述目标基底，并撤销静电，使所述发生自回复的超滑岛吸附在所述目标基底上。7.如权利要求6所述的超滑岛处理方法，其特征在于，所述透明电极阵列中每个电极的表面包裹有透明绝缘层。8.如权利要求7所述的超滑岛处理方法，其特征在于，当所述透明绝缘层不是光刻胶时，在基底的上表面涂覆第一光刻胶，并对所述第一光刻胶曝光显影包括：在所述基底的上表面依次层叠制备第一子绝缘层、电极层和第二光刻胶，并对所述第二光刻胶曝光显影；相应的，在显影后第一光刻胶的上表面制备推动层，并剥离所述第一光刻胶形成推动体阵列，得到处理治具包括：刻蚀所述电极层形成所述透明电极阵列，并去除所述第二光刻胶；在所述透明电极阵列的上表面涂覆第二子绝缘层；在所述第二子绝缘层的上表面涂覆第三光刻胶，并对所述第三光刻胶曝光显影；刻蚀所述第二子绝缘层，并去除所述第三光刻胶。9.如权利要求7所述的超滑岛处理方法，其特征在于，当所述透明绝缘层是光刻胶绝缘层时，在基底的上表面涂覆第一光刻胶，并对所述第一光刻胶曝光显影包括：在所述基底的上表面依次层叠制备第三子绝缘层、电极层和第四光刻胶，并对所述第四光刻胶曝光显影；相应的，在显影后第一光刻胶的上表面制备推动层，并剥离所述第一光刻胶形成推动体阵列，得到处理治具包括：刻蚀所述电极层形成所述透明电极阵列，并去除所述第四光刻胶；在所述透明电极阵列的上表面涂覆第四子绝缘层，并对所述第四子绝缘层曝光显影。10.如权利要求7所述的超滑岛处理方法，其特征在于，所述在基底的上表面涂覆第一光刻胶，并对所述第一光刻胶曝光显影之前，还包括：在所述基底的上表面生长透明柔性绝缘层。11.如权利要求2所述的超滑岛处理方法，其特征在于，所述在显影后第一光刻胶的上表面制备推动层包括：采用磁控溅射方式，在所述显影后第一光刻胶的上表面制备电极层。12.如权利要求5至11任一项所述的超滑岛处理方法，其特征在于，在所述将所述推动体阵列与所述超滑岛阵列对应接触并施加压力之前，还包括：在所述超滑岛阵列中每个超滑岛的上表面制作岛盖。