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专利摘要

本申请公开了一种超滑片，涉及超滑领域，包括基底，所述基底包括预设层数的单晶二维材料层，所述预设层数不超过十层；与所述基底的上表面固定连接的岛盖。本申请中超滑片包括基底和岛盖，岛盖与基底固定连接，基底包括单晶二维材料层，基底的厚度很薄，单晶二维材料层的层数不超过十层，且基底具有优良的超滑性能，即摩擦力较小且具有无磨损性能，使得本申请中超滑片为基于具有超滑性能的基底的超滑结构，岛盖的材料可以为任意材料，单晶二维材料层的材料也可以为任意的二维材料，且本申请中超滑片结构简单，能够适用于大批量的加工和生产检测。 ......

基本信息

专利类型:
发明专利
申请/专利号:
CN202222024513.9
申请日期:
2022-08-02
专利申请人:
["深圳清华大学研究院","清华大学"]
分类号:
B81B5/00
发明/设计人:
于昭宽，何雨勍，黄金奖，马明，郑泉水
权利要求: 1.一种超滑片，其特征在于，包括：基底，所述基底包括预设层数的单晶二维材料层，所述预设层数不超过十层；与所述基底的上表面固定连接的岛盖。2.如权利要求1所述的超滑片，其特征在于，所述岛盖采用导电材料制成，且所述基底与所述岛盖之间可电连接。3.如权利要求2所述的超滑片，其特征在于，所述岛盖包括至少一层导电层。4.如权利要求3所述的超滑片，其特征在于，当所述导电层为金属层时，还包括：设于所述基底与所述岛盖之间的导电连接层。5.如权利要求3所述的超滑片，其特征在于，所述岛盖包括两层金属层。6.如权利要求3所述的超滑片，其特征在于，当所述导电层的层数在两层及以上时，在远离所述基底的方向上，下一个所述导电层的尺寸小于或等于上一个所述导电层的尺寸。7.如权利要求4所述的超滑片，其特征在于，所述导电连接层为铬层或者钛层。8.如权利要求1所述的超滑片，其特征在于，所述岛盖的厚度在100nm以上。9.如权利要求1至8任一项所述的超滑片，其特征在于，所述岛盖远离所述基底的表面设置有转移部，以便于转移所述超滑片。10.如权利要求9所述的超滑片，其特征在于，所述转移部为凹槽。